RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2489
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link