RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3233
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD AP34G1608U1K 2GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G16002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link