Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

-->

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Сообщить об ошибке

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 35

Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.5 13.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.1 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 26
Скорость чтения, Гб/сек

13.7 14.5
Скорость записи, Гб/сек

9.6 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2312 2480

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB

Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Super Talent F21UB8GS 8GB

Super Talent F21UB8GS 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905701-018.A00G 16GB

Kingston 9905701-018.A00G 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

модули RAM