RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
35
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
19.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3169
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link