RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
55
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
55
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
9.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2078
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link