Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 62
    Около 44% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 7.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 13.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 62
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.7 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 7.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2312 left arrow 1808
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения