RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
55
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
55
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2232
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link