RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB против G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
40
Около 43% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
40
Скорость чтения, Гб/сек
15.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.3
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2514
2965
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link