Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G160081 2GB против SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

-->

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G160081 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G160081 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G160081 2GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G160081 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 39

Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.8 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.0 7.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21% выше полоса пропускания

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G160081 2GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

28 39
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 12.8
Скорость записи, Гб/сек

8.0 7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 10600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1909 1775

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB

Kingston KF556C40-16 16GB

Kingston KF556C40-16 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB

Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Super Talent F26UB16GH 16GB

Super Talent F26UB16GH 16GB

модули RAM