RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.2
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
2949
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link