RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
49
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
9.8
Скорость записи, Гб/сек
9.2
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
2277
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link