RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
55
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
55
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.2
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2356
2665
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link