RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
41
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.2
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2356
2808
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link