Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB против Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

-->

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Средняя оценка

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Сообщить об ошибке

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 41

Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 14

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.8 9.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 29
Скорость чтения, Гб/сек

14.0 17.4
Скорость записи, Гб/сек

9.2 12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2356 3113

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Kingston 9905712-009.A00G 16GB

Kingston 9905712-009.A00G 16GB

модули RAM