RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
3693
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link