RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
39
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
35
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
2660
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link