RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
101
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.7
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
101
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
12.1
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
1382
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link