Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

-->

Средняя оценка

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 14.7

Среднее значение в тестах

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 39

Около -5% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.6 1,597.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 37
Скорость чтения, Гб/сек

5,022.9 14.7
Скорость записи, Гб/сек

1,597.0 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

753 2592

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB

модули RAM

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB

Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 9905701-004.A00G 16GB

Kingston 9905701-004.A00G 16GB

модули RAM