RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
2509
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link