RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
2489
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link