RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
39
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
36
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
2515
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link