RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
20.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
39
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.2
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
19
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
3681
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link