RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Сравнить
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB против Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
68
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
5.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
68
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
5.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1274
1826
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Сравнения RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
ASint Technology SLB304G08-GGNHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link