Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB против SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

-->

Средняя оценка

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Причины выбрать
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14.9

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

44 51

Около -16% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.6 1,832.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 44
Скорость чтения, Гб/сек

4,433.3 14.9
Скорость записи, Гб/сек

1,832.2 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

646 2191

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB

модули RAM