RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
38
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
2808
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link