RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.3
Скорость записи, Гб/сек
10.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
2481
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link