RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.3
Скорость записи, Гб/сек
10.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
2481
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link