RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
54
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
54
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
10.4
Скорость записи, Гб/сек
10.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
2226
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link