RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    38 left arrow 54
    Около 30% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 10.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.0 left arrow 8.5
    Среднее значение в тестах
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    38 left arrow 54
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.7 left arrow 10.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.0 left arrow 8.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2753 left arrow 2226

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
модули RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
модули RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
модули RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
модули RAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
модули RAM