RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
50
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
50
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
10.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
2248
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link