RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
73
Около 42% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
73
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
1843
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link