RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
43
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
3026
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link