RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.3
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
3221
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link