RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
43
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
3153
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Inmos + 256MB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link