RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.3
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
2821
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link