RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.3
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.3
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
2104
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link