RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.3
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
2762
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link