RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.3
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
3649
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link