RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
39
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.4
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
21
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1966
3034
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link