RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
67
Около 57% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
5.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
67
Скорость чтения, Гб/сек
9.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
5.7
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1274
1895
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link