RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
9.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
5.7
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1274
2751
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link