RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB против G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
29
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
5.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
20
Скорость чтения, Гб/сек
9.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
5.7
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1274
3120
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link