RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB против Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1806
3089
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link