RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
40
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1806
3318
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link