RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
40
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
19.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1806
3935
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link