RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2774
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link