RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
25
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
20
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
19.0
Скорость записи, Гб/сек
9.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
3120
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link