RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
25
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
19.9
Скорость записи, Гб/сек
9.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
3421
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link