RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
25
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
20
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
19.2
Скорость записи, Гб/сек
9.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
3429
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link