RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
75
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
75
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
1548
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link