RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
3090
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link