RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
36
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.1
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.8
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2581
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link